Deutsch
 
Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht
  Heterojunction Diodes Comprised of n-Type Silicon and p-Type Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite

Ohmagari, S., Al-Riyami, S., Yoshitake, T. (2011): Heterojunction Diodes Comprised of n-Type Silicon and p-Type Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite. - Japanese Journal of Applied Physics, 50, 3, 035101.
https://doi.org/10.1143/JJAP.50.035101

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://gfzpublic.gfz-potsdam.de/pubman/item/item_1504333 Versions-Permalink: https://gfzpublic.gfz-potsdam.de/pubman/item/item_1504333_4
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Ohmagari, Shinya1, Autor
Al-Riyami, Sausan2, Autor              
Yoshitake, Tsuyoshi1, Autor
Affiliations:
1External Organizations, ou_persistent22              
20 Pre-GFZ, Departments, GFZ Publication Database, Deutsches GeoForschungsZentrum, ou_146023              

Inhalt

einblenden:

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n):
 Datum: 2011
 Publikationsstatus: Final veröffentlicht
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: DOI: 10.1143/JJAP.50.035101
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Japanese Journal of Applied Physics
Genre der Quelle: Zeitschrift, SCI, Scopus
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 50 (3) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 035101 Identifikator: CoNE: https://gfzpublic.gfz-potsdam.de/cone/journals/resource/journals236