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Zeitschriftenartikel

Heterojunction Diodes Comprised of n-Type Silicon and p-Type Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite

Urheber*innen

Ohmagari,  Shinya
External Organizations;

/persons/resource/sausan

Al-Riyami,  Sausan
0 Pre-GFZ, Departments, GFZ Publication Database, Deutsches GeoForschungsZentrum;

Yoshitake,  Tsuyoshi
External Organizations;

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Zitation

Ohmagari, S., Al-Riyami, S., Yoshitake, T. (2011): Heterojunction Diodes Comprised of n-Type Silicon and p-Type Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite. - Japanese Journal of Applied Physics, 50, 3, 035101.
https://doi.org/10.1143/JJAP.50.035101


Zitierlink: https://gfzpublic.gfz-potsdam.de/pubman/item/item_1504333
Zusammenfassung
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